群智询问 ：预计二季度Memory费用 继续上行 NAND涨势延续 DRAM费用 分化

智通财经APP获悉 ，群智咨询发文称
，2026年第二季度，全球Memory市场延续超级存储周期 ，供需短缺贯穿全季度
，价格呈显著分化特征 。AI算力需求主导产能分配，存储原厂优先倾斜高利润产品 ，消费电子用DRAM与NAND供应紧张未缓解
。群智咨询预测
，二季度Memory价格继续上行但涨幅分化、部分品类价格涨幅趋缓。

各产品价格趋势具体分析如下：

DRAM：价格分化显著，涨势逐步趋缓

2026 年第二季度DRAM价格延续上涨但分化明显 ，以 LPDDR4X/LPDDR5X 为主的消费电子 DRAM 合约价延续强劲的上涨趋势，其中手机应用端 DRAM 合约价环比上涨约90%
，而DDR4合约价价格涨幅较一季度趋缓至约50% 。

需求端：AI服务器对存储资源的“虹吸式 ”需求仍为核心驱动力，群智咨询预测 ，2026年AI服务器DRAM需求同比大幅增长105%
，远超行业整体水平，带动HBM及DDR5等高带宽内存需求持续旺盛
。消费电子领域需求呈现分化 ，中高端智能手机 、平板电脑及笔记本PC等产品难以下调存储规格
，LPDDR4X/LPDDR5X/DDR5容量需求刚性较强，无法通过降规缓解成本压力；而低端消费电子需求受价格上涨抑制明显 ，消费电子DRAM整体需求下滑明显。

供应端：随着HBM4进入量产阶段
，其工艺复杂度更高
、对晶圆产能单位消耗更大，进一步挤压LPDDR系列产能空间 。同时 ，存储原厂库存水位处于历史低位
，扩充产能有限且优先供应HBM需求增长，进一步收紧消费端LPDDR供应
。

整体来看 ，DRAM供需短缺问题在第二季度仍难以缓解，价格延续上涨态势但分化加剧。DDR4涨幅率先收窄
，LPDDR4X/LPDDR5X维持高幅度补涨 。

NAND：涨势延续，供给缺口凸显

群智咨询预计 2026 年第二季度 ，NAND闪存价格将延续一季度的上涨态势
，涨势强劲且供给缺口显著，其中手机应用端 NAND 价格环比上涨约100% ，消费级 SSD 价格环比上涨约66%。

需求端：AI算力需求爆发下
，企业级SSD作为高附加值产品，在产能分配中获得优先保障 ，订单增长未见放缓
，价格同步上行，进一步带动消费级NAND市场紧张情绪
。消费端来看 ，大容量存储配置趋势持续深化
，智能手机、PC等终端产品对UFS 、eMMC及消费级SSD的需求刚性较强，中高端机型难以降配 ，进一步稳固了消费端对NAND的需求。此外，eMMC/UFS因与Enterprise SSD制程重叠但利润远低于后者
，供给缺口居全产品线之冠，进一步推动价格上涨 。

供应端：头部存储厂商优先将3D NAND先进制程产能分配给企业级SSD等高利润产品 ，消费电子用NAND产能受到明显排挤
。

短期来看
，AI驱动的产能结构性倾斜趋势难以逆转，新产能释放存在周期性滞后 ，消费电子终端用NAND供需缺口难以得到实质性缓解
，第二季度价格将延续强劲上涨态势。